SH8MA2GZETB
참조 용
| 부품 번호 | SH8MA2GZETB |
| PNEDA 부품 번호 | SH8MA2GZETB |
| 설명 | SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,410 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 4 - 3월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SH8MA2GZETB 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SH8MA2GZETB |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SH8MA2GZETB 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3nC, 6.7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 125pF, 305pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.4W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta), 9.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3115pF @ 25V 전력-최대 64W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 71mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1A 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-TSST |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11200pF @ 25V 전력-최대 694W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 750pF @ 25V 전력-최대 4W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
