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SI1033X-T1-GE3

SI1033X-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI1033X-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI1033X-T1-GE3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 7,380
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI1033X-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1033X-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1033X-T1-GE3, SI1033X-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 78.95 KB)
PDFSI1033X-T1-E3 데이터 시트 표지
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SI1033X-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)145mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대250mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SC-89-6

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

525pF @ 25V

전력-최대

32W

작동 온도

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장착 유형

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A, 1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

531pF @ 10V

전력-최대

710mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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MCMNP517-TP

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 10V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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