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SI1039X-T1-E3

SI1039X-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1039X-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1039X-T1-E3
설명 MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
제조업체 Vishay Siliconix
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SI1039X-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1039X-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI1039X-T1-E3, SI1039X-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 78.29 KB)
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SI1039X-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)870mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs165mOhm @ 870mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)170mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-89-6
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6200pF @ 25V

FET 기능

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150W (Tc)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 6.3A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1817pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (최대)

±22V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 25V

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

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-

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WSL120600000ZEA9

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