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SI1551DL-T1-E3

SI1551DL-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1551DL-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1551DL-T1-E3
설명 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 7,290
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI1551DL-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1551DL-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1551DL-T1-E3, SI1551DL-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 129.6 KB)
PDFSI1551DL-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI1551DL-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)290mA, 410mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.9Ohm @ 290mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대270mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)

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Diodes Incorporated

시리즈

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1287pF @ 25V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Texas Instruments

제조업체

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1050pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (3.3x3.3)

DMN3032LFDBQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

FDW2508P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2644pF @ 6V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

1.25W

작동 온도

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장착 유형

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