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SI1563DH-T1-GE3

SI1563DH-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI1563DH-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI1563DH-T1-GE3
설명 MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI1563DH-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1563DH-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1563DH-T1-GE3, SI1563DH-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 141.34 KB)
PDFSI1563DH-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI1563DH-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.13A, 880mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs280mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대570mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1510pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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SH8K25GZ0TB

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 10V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SSM6N44FU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8.5pF @ 3V

전력-최대

200mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A, 32A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1143pF @ 25V

전력-최대

1.5W

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