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SI2318A-TP

SI2318A-TP

참조 용

부품 번호 SI2318A-TP
PNEDA 부품 번호 SI2318A-TP
설명 N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 228,090
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI2318A-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI2318A-TP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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SI2318A-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

196mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

DMTH6004SK3-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4556pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI5410DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Single

패키지 / 케이스

PowerPAK® ChipFET™ Single

제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™, TrenchT2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

235A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

715nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

47500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

680W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

24-SMPD

패키지 / 케이스

24-PowerSMD, 21 Leads

NVMYS021N06CLTWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.8A (Ta), 27A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 16µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-LFPAK

패키지 / 케이스

SOT-1023, 4-LFPAK

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