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SI3439KDW-TP

SI3439KDW-TP

참조 용

부품 번호 SI3439KDW-TP
PNEDA 부품 번호 SI3439KDW-TP
설명 N AND P-CHANNEL MOSFETSOT-363
제조업체 Micro Commercial Co
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SI3439KDW-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI3439KDW-TP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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SI3439KDW-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)750mA, 660mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds120pF, 113pF @ 16V
전력-최대150mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (최대) @ Id

820mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FDY4000CZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA, 350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 10V

전력-최대

446mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563F

ALD310702APCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

4 P-Channel, Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

180mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

BSC0910NDIATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A, 31A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 12V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 25V

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