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SI3443BDV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI3443BDV-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI3443BDV-T1-GE3
설명 MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 7,632
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI3443BDV-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI3443BDV-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI3443BDV-T1-GE3, SI3443BDV-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 205.24 KB)
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  • SI3443BDV-T1-GE3 Distributor

SI3443BDV-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.1W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-TSOP
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

SIHU3N50DA-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

177pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

패키지 / 케이스

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

IRFP260

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

280W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AD

패키지 / 케이스

TO-247-3

IPC100N04S5L1R5ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 60µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

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장착 유형

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

830mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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