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SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI4128DY-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI4128DY-T1-GE3
설명 MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI4128DY-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4128DY-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI4128DY-T1-GE3, SI4128DY-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 184.5 KB)
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  • SI4128DY-T1-GE3 Distributor

SI4128DY-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds435pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.4W (Ta), 5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SO
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251AA

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

260A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

480W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-247-3

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32.2nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 10V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

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