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SI4542DY

SI4542DY

참조 용

부품 번호 SI4542DY
PNEDA 부품 번호 SI4542DY
설명 MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 45,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI4542DY 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4542DY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI4542DY, SI4542DY 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 158.34 KB)
PDFSI4542DY 데이터 시트 표지
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SI4542DY 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds830pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

전력-최대

2.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

FDS6993

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A, 6.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FDZ2554PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 10V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W, 1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

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PowerPAK® SO-8 Dual

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

64mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

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