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SI4563DY-T1-GE3

SI4563DY-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI4563DY-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI4563DY-T1-GE3
설명 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 8,316
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI4563DY-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4563DY-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI4563DY-T1-GE3, SI4563DY-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 130.7 KB)
PDFSI4563DY-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI4563DY-T1-GE3 Distributor

SI4563DY-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs16mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs85nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2390pF @ 20V
전력-최대3.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

850mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 10V

전력-최대

750mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

전력-최대

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

SQ4946AEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 25V

전력-최대

4W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMG4822SSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

478.9pF @ 16V

전력-최대

1.42W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMC31D5UDJ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA, 200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.38nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22.6pF @ 15V

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-963

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