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SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI4816BDY-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI4816BDY-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 22,818
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI4816BDY-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4816BDY-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI4816BDY-T1-GE3, SI4816BDY-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 194.15 KB)
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SI4816BDY-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈LITTLE FOOT®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.8A, 8.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1W, 1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

235mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

62pF @ 10V

전력-최대

420mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

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시리즈

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FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

374nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10300pF @ 25V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

SH8K1TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

NTMD4N03R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1880pF @ 10V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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