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SI5933DC-T1-E3

SI5933DC-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI5933DC-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI5933DC-T1-E3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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SI5933DC-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI5933DC-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI5933DC-T1-E3, SI5933DC-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 108.75 KB)
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  • SI5933DC-T1-E3 Distributor

SI5933DC-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지1206-8 ChipFET™

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Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI1551DL-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

290mA, 410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 290mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

SI7946DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

SIA936EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

전력-최대

250W

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