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SI6954ADQ-T1-GE3

SI6954ADQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6954ADQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6954ADQ-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 22,848
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6954ADQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6954ADQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI6954ADQ-T1-GE3, SI6954ADQ-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 218.36 KB)
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SI6954ADQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs53mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 16µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1105pF @ 25V

전력-최대

43W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-4

SI6925ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

STS5DPF20L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 16V

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ZXMC4A16DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250mA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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