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SI6963BDQ-T1-GE3

SI6963BDQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6963BDQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6963BDQ-T1-GE3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6963BDQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6963BDQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • SI6963BDQ-T1-GE3 Distributor

SI6963BDQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

542mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

62pF @ 4V

전력-최대

357mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

IRF7329PBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EPC2106

EPC

제조업체

EPC

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.73nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

75pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

SI3993CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

111mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V, 45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1650pF @ 25V

전력-최대

34W (Tc)

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