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SI6975DQ-T1-E3

SI6975DQ-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI6975DQ-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI6975DQ-T1-E3
설명 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6975DQ-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6975DQ-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI6975DQ-T1-E3, SI6975DQ-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 102.31 KB)
PDFSI6975DQ-T1-E3 데이터 시트 표지
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  • SI6975DQ-T1-E3 Distributor

SI6975DQ-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id450mV @ 5mA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFDFN

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4-AlphaDFN (1.57x1.57)

AOSD21307

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1995pF @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NTMFD4C87NT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.7A, 14.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1252pF @ 15V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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