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SI7328DN-T1-E3

SI7328DN-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7328DN-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7328DN-T1-E3
설명 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7328DN-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7328DN-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SI7328DN-T1-E3, SI7328DN-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 569.96 KB)
PDFSI7328DN-T1-E3 데이터 시트 표지
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  • SI7328DN-T1-E3 Distributor

SI7328DN-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs31.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2610pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.78W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도-50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스PowerPAK® 1212-8

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STF13N60M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II Plus

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

580pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FP

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

STP28N65M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1440pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.7A (Ta), 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1918pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 60W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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