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SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7844DP-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7844DP-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7844DP-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7844DP-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7844DP-T1-E3, SI7844DP-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 108.67 KB)
PDFSI7844DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI7844DP-T1-E3 Distributor

SI7844DP-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A, 2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 10V

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작동 온도

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550Ohm @ 2A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

전력-최대

4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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12-SIP

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11200pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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