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SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI7872DP-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI7872DP-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 8,748
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7872DP-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7872DP-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7872DP-T1-GE3, SI7872DP-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 144.17 KB)
PDFSI7872DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI7872DP-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈LITTLE FOOT®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

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장착 유형

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

DF11MR12W1M1B11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tj)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.55V @ 20mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

124nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3680pF @ 800V

전력-최대

20mW

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

AG-EASY1BM-2

UPA2385T1P-E1-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SI1035X-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180mA, 145mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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