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SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7901EDN-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7901EDN-T1-E3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
제조업체 Vishay Siliconix
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SI7901EDN-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7901EDN-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7901EDN-T1-E3, SI7901EDN-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 112.62 KB)
PDFSI7901EDN-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI7901EDN-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 800µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® 1212-8 Dual

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMC3016LDV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

전력-최대

900mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

DMC25D0UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V, 30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

26.2pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

SI1026X-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

305mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 25V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1390pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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