SI7922DN-T1-E3
참조 용
| 부품 번호 | SI7922DN-T1-E3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI7922DN-T1-E3 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,796 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI7922DN-T1-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI7922DN-T1-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI7922DN-T1-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 87pF @ 20V 전력-최대 320mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 270A Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 360nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 V2-PAK 공급자 장치 패키지 V2-PAK |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A, 22.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2127pF @ 25V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A, 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2375pF @ 13V 전력-최대 2.1W, 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Power Clip 56 |
