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SI8220BB-A-IS

SI8220BB-A-IS

참조 용

부품 번호 SI8220BB-A-IS
PNEDA 부품 번호 SI8220BB-A-IS
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조업체 Silicon Labs
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SI8220BB-A-IS 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8220BB-A-IS
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8220BB-A-IS, SI8220BB-A-IS 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 328.31 KB)
PDFSI8220DB-A-ISR 데이터 시트 표지
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SI8220BB-A-IS 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수1
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)30kV/µs (Typ)
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)60ns, 40ns
펄스 폭 왜곡 (최대)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns (Max)
전류-출력 높음, 낮음1.5A, 2.5A
전류-피크 출력2.5A
전압-순방향 (Vf) (통상)2.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대)30mA
전압-출력 공급9.4V ~ 24V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC
승인CSA, UR, VDE

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제조업체

STMicroelectronics

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1

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1700VDC

공통 모드 과도 내성 (최소)

100V/ns

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

100ns, 100ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

20ns

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

전류-출력 높음, 낮음

4A, 4A

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

3V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

승인

-

SI8275DB-IM1R

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

*

기술

-

채널 수

-

전압-절연

-

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

승인

-

ADUM5230ARWZ-RL

Analog Devices

제조업체

Analog Devices Inc.

시리즈

iCoupler®

기술

Magnetic Coupling

채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

25kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

100ns, 100ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

8ns

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 10ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

12V ~ 18.5V

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

UR

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

기술

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채널 수

1

전압-절연

1500VDC

공통 모드 과도 내성 (최소)

10kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

500ns, 500ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

300ns

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

승인

-

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

10kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

700ns, 700ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 50ns

전류-출력 높음, 낮음

400mA, 400mA

전류-피크 출력

600mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

10V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)

공급자 장치 패키지

6-SDIP Gull Wing

승인

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