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SI8220DB-D-IS

SI8220DB-D-IS

참조 용

부품 번호 SI8220DB-D-IS
PNEDA 부품 번호 SI8220DB-D-IS
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조업체 Silicon Labs
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SI8220DB-D-IS 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8220DB-D-IS
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8220DB-D-IS, SI8220DB-D-IS 데이터 시트 (총 페이지: 31, 크기: 1,509.81 KB)
PDFSI8220CD-D-ISR 데이터 시트 표지
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  • SI8220DB-D-IS Distributor

SI8220DB-D-IS 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수1
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)30kV/µs (Typ)
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)60ns, 40ns
펄스 폭 왜곡 (최대)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns (Max)
전류-출력 높음, 낮음1.5A, 2.5A
전류-피크 출력2.5A
전압-순방향 (Vf) (통상)2.5V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대)30mA
전압-출력 공급14.8V ~ 24V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC
승인CQC, CSA, UR, VDE

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5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

40ns, 48ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

30ns

상승 / 하강 시간 (일반)

17ns, 17ns

전류-출력 높음, 낮음

3A, 3A

전류-피크 출력

2A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

4.5V ~ 35V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC-IC

승인

CQC, CSA, UL, VDE

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채널 수

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전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

10kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

200ns, 200ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

300mA, 300mA

전류-피크 출력

450mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

10V ~ 20V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)

공급자 장치 패키지

6-SDIP Gull Wing

승인

CSA, cUR, UR, VDE

SI8230BD-D-IS

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

20kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

250mA, 500mA

전류-피크 출력

500mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

9.4V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

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제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

150kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

8ns

상승 / 하강 시간 (일반)

10.5ns, 13.3ns

전류-출력 높음, 낮음

1.8A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

4.6V ~ 30V

작동 온도

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장착 유형

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

250mA, 500mA

전류-피크 출력

500mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

6.5V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

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