SI8233AB-D-IS1R
참조 용
| 부품 번호 | SI8233AB-D-IS1R | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | SI8233AB-D-IS1R | ||||||||||||||||||
| 설명 | DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Silicon Labs | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 1,716 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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SI8233AB-D-IS1R 리소스
| 브랜드 | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI8233AB-D-IS1R |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 절연체-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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SI8233AB-D-IS1R 사양
| 제조업체 | Silicon Labs |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 기술 | Capacitive Coupling |
| 채널 수 | 2 |
| 전압-절연 | 2500Vrms |
| 공통 모드 과도 내성 (최소) | 20kV/µs |
| 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) | 60ns, 60ns |
| 펄스 폭 왜곡 (최대) | 5.6ns |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 12ns, 12ns (Max) |
| 전류-출력 높음, 낮음 | 2A, 4A |
| 전류-피크 출력 | 4A |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | - |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | - |
| 전압-출력 공급 | 6.5V ~ 24V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 16-SOIC |
| 승인 | CQC, CSA, UR, VDE |
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