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SI82391CB-IS1

SI82391CB-IS1

참조 용

부품 번호 SI82391CB-IS1
PNEDA 부품 번호 SI82391CB-IS1
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
제조업체 Silicon Labs
단가 견적 요청
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SI82391CB-IS1 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI82391CB-IS1
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI82391CB-IS1, SI82391CB-IS1 데이터 시트 (총 페이지: 43, 크기: 1,337.57 KB)
PDFSI82398CD4-ISR 데이터 시트 표지
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  • SI82391CB-IS1 Distributor

SI82391CB-IS1 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수2
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)40ns, 40ns
펄스 폭 왜곡 (최대)5.6ns
상승 / 하강 시간 (일반)12ns, 12ns (Max)
전류-출력 높음, 낮음2A, 4A
전류-피크 출력4A
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급12.8V ~ 24V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC
승인CQC, CSA, UR, VDE

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5000Vrms

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400ns, 400ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

120ns

상승 / 하강 시간 (일반)

42ns, 50ns

전류-출력 높음, 낮음

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전류-DC 순방향 (If) (최대)

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공통 모드 과도 내성 (최소)

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펄스 폭 왜곡 (최대)

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전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

10V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-절연

3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

20kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

170ns, 190ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

50ns

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 22ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.57V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

15mA

전압-출력 공급

10V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads

공급자 장치 패키지

6-SO

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기술

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전압-절연

-

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

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전압-출력 공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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공통 모드 과도 내성 (최소)

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

500ns, 500ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

500mA, 500mA

전류-피크 출력

1.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-20°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-DIP Gull Wing

승인

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