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SI8261ABD-C-IMR

SI8261ABD-C-IMR

참조 용

부품 번호 SI8261ABD-C-IMR
PNEDA 부품 번호 SI8261ABD-C-IMR
설명 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
제조업체 Silicon Labs
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SI8261ABD-C-IMR 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8261ABD-C-IMR
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8261ABD-C-IMR, SI8261ABD-C-IMR 데이터 시트 (총 페이지: 40, 크기: 1,658.51 KB)
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SI8261ABD-C-IMR 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수1
전압-절연5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)35kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)60ns, 50ns
펄스 폭 왜곡 (최대)28ns
상승 / 하강 시간 (일반)5.5ns, 8.5ns
전류-출력 높음, 낮음400mA, 600mA
전류-피크 출력600mA
전압-순방향 (Vf) (통상)2.8V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대)30mA
전압-출력 공급9.4V ~ 30V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VELGA
공급자 장치 패키지8-LGA (10x12.5)
승인CQC, CSA, UR, VDE

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Infineon Technologies

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전압-절연

4500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

60ns, 60ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

13V ~ 20V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-16-15

승인

-

SI8273DBD-IS1R

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

200kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

75ns, 75ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

8ns

상승 / 하강 시간 (일반)

10.5ns, 13.3ns

전류-출력 높음, 낮음

1.8A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

9.6V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

FOD3181V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

기술

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채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

10kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

500ns, 500ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 55ns

전류-출력 높음, 낮음

500mA, 500mA

전류-피크 출력

1.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

10V ~ 20V

작동 온도

-20°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

승인

cUL, UL, VDE

TLP5751(TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

기술

Optical Coupling

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

150ns, 150ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

50ns

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 8ns

전류-출력 높음, 낮음

1A, 1A

전류-피크 출력

1A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

6-SO

승인

CQC, CSA, cUL, UL

UCC5320SCDWVR

Texas Instruments

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3000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

75ns, 75ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

20ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 10ns

전류-출력 높음, 낮음

2.4A, 2.2A

전류-피크 출력

4.3A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

13.2V ~ 33V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

승인

CQC, UR, VDE

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