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SI8273DB-IS1R

SI8273DB-IS1R

참조 용

부품 번호 SI8273DB-IS1R
PNEDA 부품 번호 SI8273DB-IS1R
설명 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
제조업체 Silicon Labs
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SI8273DB-IS1R 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8273DB-IS1R
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8273DB-IS1R, SI8273DB-IS1R 데이터 시트 (총 페이지: 49, 크기: 935.99 KB)
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SI8273DB-IS1R 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수2
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)150kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)60ns, 60ns
펄스 폭 왜곡 (최대)8ns
상승 / 하강 시간 (일반)10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음1.8A, 4A
전류-피크 출력4A
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급9.6V ~ 30V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC
승인CQC, CSA, UR, VDE

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210ns, 210ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

65ns

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 25ns

전류-출력 높음, 낮음

2.5A, 2.5A

전류-피크 출력

3A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.43V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

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장착 유형

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

500ns, 500ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

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상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 50ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.268", 6.81mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

승인

CSA, IEC/EN/DIN, UR

ACPL-H342-060E

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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기술

Optical Coupling

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

25kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

350ns, 250ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

22ns, 18ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.268", 6.81mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

승인

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전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

6.5V ~ 24V

작동 온도

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패키지 / 케이스

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