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SI8274DB4D-IS1

SI8274DB4D-IS1

참조 용

부품 번호 SI8274DB4D-IS1
PNEDA 부품 번호 SI8274DB4D-IS1
설명 4A 2.5 KV CMTI HS/LS DL GATE DRV
제조업체 Silicon Labs
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SI8274DB4D-IS1 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8274DB4D-IS1
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버
데이터 시트
SI8274DB4D-IS1, SI8274DB4D-IS1 데이터 시트 (총 페이지: 49, 크기: 935.99 KB)
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SI8274DB4D-IS1 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈Automotive, AEC-Q100
기술Capacitive Coupling
채널 수2
전압-절연2500Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)200kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)105ns, 105ns
펄스 폭 왜곡 (최대)47ns
상승 / 하강 시간 (일반)10.5ns, 13.3ns
전류-출력 높음, 낮음1.8A, 4A
전류-피크 출력4A
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급4.2V ~ 30V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC
승인CQC, CSA, UL, VDE

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공통 모드 과도 내성 (최소)

10kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

500ns, 500ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

300ns

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 100ns

전류-출력 높음, 낮음

500mA, 500mA

전류-피크 출력

600mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

전압-출력 공급

15V ~ 30V

작동 온도

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기술

Optical Coupling

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

50kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

250ns, 250ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

100ns

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 50ns

전류-출력 높음, 낮음

750mA, 1A

전류-피크 출력

2.5A

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

15V ~ 25V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO

승인

CSA, IEC/EN/DIN, UR

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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기술

Magnetic Coupling

채널 수

1

전압-절연

4500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 50ns

전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

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전압-출력 공급

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패키지 / 케이스

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공통 모드 과도 내성 (최소)

25kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

400ns, 400ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

200ns

상승 / 하강 시간 (일반)

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전류-출력 높음, 낮음

2.5A, 2.5A

전류-피크 출력

2.5A

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