SI8275BBD-IS1R
참조 용
| 부품 번호 | SI8275BBD-IS1R |
| PNEDA 부품 번호 | SI8275BBD-IS1R |
| 설명 | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| 제조업체 | Silicon Labs |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,718 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI8275BBD-IS1R 리소스
| 브랜드 | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI8275BBD-IS1R |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 절연체-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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SI8275BBD-IS1R 사양
| 제조업체 | Silicon Labs |
| 시리즈 | * |
| 기술 | - |
| 채널 수 | - |
| 전압-절연 | - |
| 공통 모드 과도 내성 (최소) | - |
| 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) | - |
| 펄스 폭 왜곡 (최대) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - |
| 전류-출력 높음, 낮음 | - |
| 전류-피크 출력 | - |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | - |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | - |
| 전압-출력 공급 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 승인 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 기술 Optical Coupling 채널 수 1 전압-절연 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 210ns, 210ns 펄스 폭 왜곡 (최대) 65ns 상승 / 하강 시간 (일반) 35ns, 25ns 전류-출력 높음, 낮음 2.5A, 2.5A 전류-피크 출력 3A 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.43V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 25mA 전압-출력 공급 15V ~ 30V 작동 온도 -40°C ~ 100°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SOIC (0.346", 8.80mm Width), 5 Leads 공급자 장치 패키지 5-SOP 승인 IEC/EN/DIN, UL |
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제조업체 Silicon Labs 시리즈 Automotive, AEC-Q100 기술 Capacitive Coupling 채널 수 1 전압-절연 5000Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 35kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 50ns, 50ns 펄스 폭 왜곡 (최대) 5ns 상승 / 하강 시간 (일반) 5.5ns, 8.5ns 전류-출력 높음, 낮음 2.5A, 3A 전류-피크 출력 4A 전압-순방향 (Vf) (통상) - 전류-DC 순방향 (If) (최대) - 전압-출력 공급 2.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 24-SOIC 승인 CQC, CSA, UL, VDE |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 기술 Optical Coupling 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 공통 모드 과도 내성 (최소) 15kV/µs 전파 지연 tpLH / tpHL (최대) 500ns, 500ns 펄스 폭 왜곡 (최대) 300ns 상승 / 하강 시간 (일반) 15ns, 20ns 전류-출력 높음, 낮음 2A, 2A 전류-피크 출력 2.5A 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.5V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 25mA 전압-출력 공급 15V ~ 30V 작동 온도 -40°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP 승인 CSA, UR |
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