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SI8622BT-ISR

SI8622BT-ISR

참조 용

부품 번호 SI8622BT-ISR
PNEDA 부품 번호 SI8622BT-ISR
설명 DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC
제조업체 Silicon Labs
단가 견적 요청
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SI8622BT-ISR 리소스

브랜드 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8622BT-ISR
분류반도체절연체디지털 절연체
데이터 시트
SI8622BT-ISR, SI8622BT-ISR 데이터 시트 (총 페이지: 39, 크기: 899.58 KB)
PDFSI8622ET-ISR 데이터 시트 표지
SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 2 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 3 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 4 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 5 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 6 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 7 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 8 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 9 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 10 SI8622ET-ISR 데이터 시트 페이지 11

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SI8622BT-ISR 사양

제조업체Silicon Labs
시리즈-
기술Capacitive Coupling
유형General Purpose
절연 된 힘No
채널 수2
입력-사이드 1 / 사이드 21/1
채널 유형Unidirectional
전압-절연5000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)60kV/µs
데이터 전송률150Mbps
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)13ns, 13ns
펄스 폭 왜곡 (최대)4.5ns
상승 / 하강 시간 (일반)2.5ns, 2.5ns
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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제조업체

Silicon Labs

시리즈

-

기술

Capacitive Coupling

유형

General Purpose

절연 된 힘

No

채널 수

3

입력-사이드 1 / 사이드 2

3/0

채널 유형

Unidirectional

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

데이터 전송률

150Mbps

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

13ns, 13ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

4.5ns

상승 / 하강 시간 (일반)

2.5ns, 2.5ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

SI8384P-IU

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

-

기술

Capacitive Coupling

유형

General Purpose

절연 된 힘

No

채널 수

8

입력-사이드 1 / 사이드 2

8/0

채널 유형

Unidirectional

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

-

데이터 전송률

2Mbps

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

-

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3.9ns, 3.7ns

전압-공급

2.25V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SSOP (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

20-QSOP

IL 610A-2E

NVE Corp/Isolation Products

제조업체

NVE Corp/Isolation Products

시리즈

IsoLoop®

기술

GMR (Giant Magnetoresistive)

유형

General Purpose

절연 된 힘

No

채널 수

1

입력-사이드 1 / 사이드 2

1/0

채널 유형

Unidirectional

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

15kV/µs

데이터 전송률

10Mbps

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

75ns, 25ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10µs, 10µs (Max)

전압-공급

3V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

SI8461AA-B-IS1

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

-

기술

Capacitive Coupling

유형

General Purpose

절연 된 힘

No

채널 수

6

입력-사이드 1 / 사이드 2

5/1

채널 유형

Unidirectional

전압-절연

1000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

25kV/µs (Typ)

데이터 전송률

1Mbps

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

35ns, 35ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

25ns

상승 / 하강 시간 (일반)

3.8ns, 2.8ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

SI8641AB-B-IS

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

-

기술

Capacitive Coupling

유형

General Purpose

절연 된 힘

No

채널 수

4

입력-사이드 1 / 사이드 2

3/1

채널 유형

Unidirectional

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

데이터 전송률

1Mbps

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

35ns, 35ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

25ns

상승 / 하강 시간 (일반)

2.5ns, 2.5ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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