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SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

참조 용

부품 번호 SI9910DY-E3
PNEDA 부품 번호 SI9910DY-E3
설명 IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 5,058
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI9910DY-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI9910DY-E3
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
SI9910DY-E3, SI9910DY-E3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 283.28 KB)
PDFSI9910DY-E3 데이터 시트 표지
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  • SI9910DY-E3 Distributor

SI9910DY-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급10.8V ~ 16.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1A, 1A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)500V
상승 / 하강 시간 (일반)50ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.6A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-CERDIP

MCP14E10T-E/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

LM5100MX/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.6A, 1.6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

600ns, 600ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DGD2304S8-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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