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SI9936DY

SI9936DY

참조 용

부품 번호 SI9936DY
PNEDA 부품 번호 SI9936DY
설명 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 7,466
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SI9936DY 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI9936DY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI9936DY, SI9936DY 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 240.98 KB)
PDFSI9936DY 데이터 시트 표지
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SI9936DY 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds525pF @ 15V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.62nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

85.4pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

FDC6321C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA, 460mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

FW812-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

960pF @ 20V

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDMD8580

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 82A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5875pF @ 40V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

Power56

IRF3546MTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc), 20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1310pF @ 13V

전력-최대

-

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