SIA106DJ-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIA106DJ-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIA106DJ-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 23,466 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIA106DJ-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIA106DJ-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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SIA106DJ-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta), 12A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 540pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-70-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 115pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150mW (Ta) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 EMT3F (SOT-416FL) 패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1600pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Single 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Single |
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