SIA907EDJT-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIA907EDJT-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIA907EDJT-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 28,398 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIA907EDJT-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIA907EDJT-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SIA907EDJT-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 7.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 25V 전력-최대 3.2W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 15V 전력-최대 2.16W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 (Type D) |
제조업체 IXYS 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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