SIA918EDJ-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIA918EDJ-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIA918EDJ-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,904 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIA918EDJ-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIA918EDJ-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SIA918EDJ-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 7.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 580pF @ 10V 전력-최대 1.4W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-EMH |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A, 27A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1695pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.8W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 6-WLCSP (2x1.49) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
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