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SIC638ACD-T1-GE3

SIC638ACD-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIC638ACD-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIC638ACD-T1-GE3
설명 INTEGRATED POWER STAGE POWERPAK
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIC638ACD-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIC638ACD-T1-GE3
분류반도체전력 관리 ICPMIC-풀, 하프 브리지 드라이버
데이터 시트
SIC638ACD-T1-GE3, SIC638ACD-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 319.18 KB)
PDFSIC638CD-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SIC638ACD-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈VRPower®
출력 구성Half Bridge (2)
응용 프로그램Synchronous Buck Converters
인터페이스PWM
로드 유형Inductive, Capacitive
기술Power MOSFET
Rds On (일반)-
전류-출력 / 채널50A
전류-피크 출력-
전압-공급4.5V ~ 5.5V
전압-부하4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
특징Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
오류 보호Shoot-Through, UVLO
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® MLP55-31L
공급자 장치 패키지PowerPAK® MLP55-31L

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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출력 구성

Half Bridge (7)

응용 프로그램

General Purpose

인터페이스

PWM, SPI

로드 유형

Capacitive and Resistive

기술

NMOS

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

-

전류-피크 출력

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전압-부하

7V ~ 18V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

특징

Charge Pump

오류 보호

Over Load

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

48-VFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

48-QFNW (7x7)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

출력 구성

-

응용 프로그램

-

인터페이스

-

로드 유형

-

기술

-

Rds On (일반)

750mOhm

전류-출력 / 채널

-

전류-피크 출력

1.2A

전압-공급

5.5V ~ 26.5V

전압-부하

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

특징

-

오류 보호

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

32-SOIC-EP

SIC638CD-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

VRPower®

출력 구성

Half Bridge (2)

응용 프로그램

Synchronous Buck Converters

인터페이스

PWM

로드 유형

Inductive, Capacitive

기술

Power MOSFET

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

50A

전류-피크 출력

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전압-부하

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

특징

Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag

오류 보호

Shoot-Through, UVLO

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® MLP55-31L

공급자 장치 패키지

PowerPAK® MLP55-31L

제조업체

Sanken

시리즈

-

출력 구성

Half Bridge (3)

응용 프로그램

AC Motors

인터페이스

Logic

로드 유형

Inductive

기술

Power MOSFET

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

1.5A

전류-피크 출력

-

전압-공급

20V

전압-부하

400V (Max)

작동 온도

-20°C ~ 150°C (TJ)

특징

-

오류 보호

Current Limiting, Over Temperature, UVLO

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-SSIP Formed Leads

공급자 장치 패키지

24-SIP, LF2451

CSD97370AQ5M

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

출력 구성

Half Bridge

응용 프로그램

Synchronous Buck Converters

인터페이스

PWM

로드 유형

Inductive

기술

Power MOSFET

Rds On (일반)

-

전류-출력 / 채널

40A

전류-피크 출력

60A

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전압-부하

3.3V ~ 22V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

특징

Bootstrap Circuit

오류 보호

Shoot-Through, UVLO

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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