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SID1102K

SID1102K

참조 용

부품 번호 SID1102K
PNEDA 부품 번호 SID1102K
설명 DGTL ISO GATE DRVR
제조업체 Power Integrations
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SID1102K 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SID1102K
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버

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SID1102K 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE-iDriver™
기술Magnetic Coupling
채널 수1
전압-절연1000Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)100kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)350ns, 350ns
펄스 폭 왜곡 (최대)-
상승 / 하강 시간 (일반)29ns, 14ns
전류-출력 높음, 낮음5A, 5A
전류-피크 출력-
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)-
전압-출력 공급22V ~ 28V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
공급자 장치 패키지eSOP-R16B
승인VDE

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1

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

50ns, 50ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5ns

상승 / 하강 시간 (일반)

5.5ns, 8.5ns

전류-출력 높음, 낮음

2.5A, 3A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

2.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

승인

CQC, CSA, UL, VDE

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Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

5000Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

45kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

전류-출력 높음, 낮음

250mA, 500mA

전류-피크 출력

500mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

6.5V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

SI82390AB-IS1

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

40ns, 40ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

2A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

6.5V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

SI8232DB-D-ISR

Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

-

공통 모드 과도 내성 (최소)

20kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

-

전류-피크 출력

500mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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기술

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채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

5kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

1µs, 1µs

펄스 폭 왜곡 (최대)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

전류-출력 높음, 낮음

100mA, 100mA

전류-피크 출력

400mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

전압-출력 공급

10V ~ 30V

작동 온도

-20°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-SMD

승인

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