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SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

참조 용

부품 번호 SIDC01D60C6
PNEDA 부품 번호 SIDC01D60C6
설명 DIODE GEN PURP WAFER
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,284
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIDC01D60C6 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIDC01D60C6
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SIDC01D60C6 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-평균 정류 (Io)-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Sawn on foil
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

510mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

22ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

170pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

작동 온도-접합

125°C (Max)

VS-85HFLR40S02

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 266.9A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

CUD10-02 TR13

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

62pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

FR152S-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FR85G02

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 85A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

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