SIDC09D60E6 UNSAWN
참조 용
부품 번호 | SIDC09D60E6 UNSAWN |
PNEDA 부품 번호 | SIDC09D60E6-UNSAWN |
설명 | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
제조업체 | Infineon Technologies |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 8,928 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIDC09D60E6 UNSAWN 리소스
브랜드 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SIDC09D60E6 UNSAWN |
분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SIDC09D60E6 UNSAWN 사양
제조업체 | Infineon Technologies |
시리즈 | - |
다이오드 유형 | Standard |
전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
전류-평균 정류 (Io) | 20A (DC) |
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.7V @ 20A |
속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
역 복구 시간 (trr) | 150ns |
전류-역방향 누설 @ Vr | 27µA @ 600V |
커패시턴스 @ Vr, F | - |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | Die |
공급자 장치 패키지 | Sawn on foil |
작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation 제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 8pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
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