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SIDC105D120H8X1SA1

SIDC105D120H8X1SA1

참조 용

부품 번호 SIDC105D120H8X1SA1
PNEDA 부품 번호 SIDC105D120H8X1SA1
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,334
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIDC105D120H8X1SA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIDC105D120H8X1SA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SIDC105D120H8X1SA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.41V @ 45A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr27µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Sawn on foil
작동 온도-접합-40°C ~ 175°C

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MPG06BHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

600ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

MPG06, Axial

공급자 장치 패키지

MPG06

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

670mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-

FERD40H100STS

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

FERD (Field Effect Rectifier Diode)

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

705mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

190µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

175°C (Max)

RSFGL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RB510SM-30FHT2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

460mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300nA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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