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SIDC14D120H6X1SA1

SIDC14D120H6X1SA1

참조 용

부품 번호 SIDC14D120H6X1SA1
PNEDA 부품 번호 SIDC14D120H6X1SA1
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,604
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIDC14D120H6X1SA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIDC14D120H6X1SA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SIDC14D120H6X1SA1, SIDC14D120H6X1SA1 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 66.04 KB)
PDFSIDC14D120H6X1SA1 데이터 시트 표지
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SIDC14D120H6X1SA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)25A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.6V @ 25A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr27µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Sawn on foil
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

5000V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

5V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 5000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SRP300D-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

28pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

270ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

작동 온도-접합

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CD214A-F150

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

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