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SIDC23D120H8X1SA1

SIDC23D120H8X1SA1

참조 용

부품 번호 SIDC23D120H8X1SA1
PNEDA 부품 번호 SIDC23D120H8X1SA1
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,770
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIDC23D120H8X1SA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIDC23D120H8X1SA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SIDC23D120H8X1SA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)35A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.97V @ 35A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr27µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Sawn on foil
작동 온도-접합-40°C ~ 175°C

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SIDC23D60E6X1SA4

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

50A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 50A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

27µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Sawn on foil

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SA2M-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

11pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RF101A2ST-32

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

870mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-41 Mini, Axial

공급자 장치 패키지

MSR

작동 온도-접합

150°C (Max)

MBRS330PT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SMC

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