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SIDC42D120H6X1SA3

SIDC42D120H6X1SA3

참조 용

부품 번호 SIDC42D120H6X1SA3
PNEDA 부품 번호 SIDC42D120H6X1SA3
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,552
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIDC42D120H6X1SA3 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIDC42D120H6X1SA3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SIDC42D120H6X1SA3, SIDC42D120H6X1SA3 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 276.35 KB)
PDFSIDC42D120H6X1SA3 데이터 시트 표지
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  • SIDC42D120H6X1SA3 Distributor

SIDC42D120H6X1SA3 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)75A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.6V @ 75A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr27µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Sawn on foil
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 25A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1kV

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SRA

공급자 장치 패키지

SRA

작동 온도-접합

-

FESB16JT-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

145pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-263AB

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Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

14.6ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

PMDTM

작동 온도-접합

150°C (Max)

UPS5819E3TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Automotive, AEC-Q101

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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