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SIHA14N60E-E3

SIHA14N60E-E3

참조 용

부품 번호 SIHA14N60E-E3
PNEDA 부품 번호 SIHA14N60E-E3
설명 MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIHA14N60E-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIHA14N60E-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIHA14N60E-E3, SIHA14N60E-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 144.95 KB)
PDFSIHA14N60E-E3 데이터 시트 표지
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  • SIHA14N60E-E3 Distributor

SIHA14N60E-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈E
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs309mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs64nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1205pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)147W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

370mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.84nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24.1pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-CPH

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002CK,215

Nexperia

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FCD5N60TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RSS130N03FU6TB

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 5V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.7A (Ta), 48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1264pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

920mW (Ta), 23.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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