Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SIHG039N60EF-GE3

SIHG039N60EF-GE3

참조 용

부품 번호 SIHG039N60EF-GE3
PNEDA 부품 번호 SIHG039N60EF-GE3
설명 MOSFET N-CH 600V 61A TO-247AC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 5,436
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIHG039N60EF-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIHG039N60EF-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIHG039N60EF-GE3, SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 180.18 KB)
PDFSIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 표지
SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 2 SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 3 SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 4 SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 5 SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 6 SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 7 SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 8 SIHG039N60EF-GE3 데이터 시트 페이지 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • SIHG039N60EF-GE3 Datasheet
  • where to find SIHG039N60EF-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIHG039N60EF-GE3
  • SIHG039N60EF-GE3 PDF Datasheet
  • SIHG039N60EF-GE3 Stock

  • SIHG039N60EF-GE3 Pinout
  • Datasheet SIHG039N60EF-GE3
  • SIHG039N60EF-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIHG039N60EF-GE3 Price
  • SIHG039N60EF-GE3 Distributor

SIHG039N60EF-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

관심을 가질만한 제품

IPP80N06S4L05AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 60µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

107W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

SKP253

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-3

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PMXB40UNEZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

556pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DFN1010D-3

패키지 / 케이스

3-XDFN Exposed Pad

IRF540Z

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1770pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

92W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

AOB4S60L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

aMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

263pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

최근 판매

5596101027F

5596101027F

Dialight

LED PMI SNAP-IN RED PVC FREE

ATA6625C-GAQW

ATA6625C-GAQW

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 8SO

T495X107K025ATE150

T495X107K025ATE150

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 25V 2917

SMDB3

SMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 1A SOT23-3

527R-01LF

527R-01LF

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK SLICER ZDB CONFIG 28-SSOP

MBR0540T1G

MBR0540T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

FNM-30

FNM-30

Eaton - Bussmann Electrical Division

FUSE CARTRIDGE 30A 250VAC 5AG

AD5447YRUZ

AD5447YRUZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 24TSSOP

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

IS62WV51216BLL-55TLI

IS62WV51216BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

ADUM7640CRQZ

ADUM7640CRQZ

Analog Devices

DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 20QSOP