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SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

참조 용

부품 번호 SIHG30N60E-E3
PNEDA 부품 번호 SIHG30N60E-E3
설명 MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
제조업체 Vishay Siliconix
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SIHG30N60E-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIHG30N60E-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIHG30N60E-E3, SIHG30N60E-E3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 181.54 KB)
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  • SIHG30N60E-E3 Distributor

SIHG30N60E-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs125mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2600pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)250W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247AC
패키지 / 케이스TO-247-3

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STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2030pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

AUIRFS8407-7TRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7437pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

231W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK (7-Lead)

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IXTY2N100P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

Polar™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

655pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

86W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

LND150N3-G-P003

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1000Ohm @ 500µA, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

740mW (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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-

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

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