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SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

참조 용

부품 번호 SIHG30N60E-GE3
PNEDA 부품 번호 SIHG30N60E-GE3
설명 MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
제조업체 Vishay Siliconix
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SIHG30N60E-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIHG30N60E-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIHG30N60E-GE3, SIHG30N60E-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 181.54 KB)
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  • SIHG30N60E-GE3 Distributor

SIHG30N60E-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs125mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2600pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)250W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247AC
패키지 / 케이스TO-247-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

430mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4595pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

625W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2450pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

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PowerPAK® SO-8

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

64A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2260pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

317pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

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