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SIPC46N60CFDX1SA1

SIPC46N60CFDX1SA1

참조 용

부품 번호 SIPC46N60CFDX1SA1
PNEDA 부품 번호 SIPC46N60CFDX1SA1
설명 TRANSISTOR N-CH
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 19 - 3월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIPC46N60CFDX1SA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIPC46N60CFDX1SA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • SIPC46N60CFDX1SA1 Distributor

SIPC46N60CFDX1SA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta), 28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

740pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.5W (Ta), 56W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

APT5SM170S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.2V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D3Pak

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

IPC100N04S5L2R6ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2925pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-34

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

FDB2570

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1911pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

93W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263AB

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8 FL

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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