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SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIRA16DP-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIRA16DP-T1-GE3
설명 MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 46,446
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIRA16DP-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIRA16DP-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIRA16DP-T1-GE3, SIRA16DP-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 65.88 KB)
PDFSIRA16DP-T1-GE3 데이터 시트 표지

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  • SIRA16DP-T1-GE3 Distributor

SIRA16DP-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs47nC @ 10V
Vgs (최대)+20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2060pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4200pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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시리즈

POWER MOS 8™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

84A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

600nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

960W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

패키지 / 케이스

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시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

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Through Hole

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

167W (Tc)

작동 온도

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