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SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIS990DN-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIS990DN-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIS990DN-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIS990DN-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SIS990DN-T1-GE3, SIS990DN-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 570.69 KB)
PDFSIS990DN-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SIS990DN-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 50V
전력-최대25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® 1212-8 Dual

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2 N-Channel (Dual) Common Drain

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

99A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

781W

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장착 유형

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시리즈

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-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

EFC6611R-TF

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

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